碳化硅強化微反應器一般用于持續(xù)強化各組分混合使其達到更接近混勻均質(zhì)的狀態(tài)，在連續(xù)流反應過程中持續(xù)促進反應；不論是均相還是非均相體系，通過微混沌結構的打散混合再打散再混合的重復單元，實現(xiàn)各組分的充分的混合。具有廣泛的化學耐受性，耐高壓，既強化反應的傳熱傳質(zhì)，又有較大的通量。
碳化硅是一種硅和碳結合的半導體材料，自然界幾乎沒有，要想得到碳化硅單晶，只能依靠人工合成。而且，不是所有的碳化硅晶體都能作為半導體材料，只有六方相中的4H-SiC、6H-SiC才可以用。碳化硅在耐高壓、耐高溫、高頻等方面具有優(yōu)勢，與硅相比，碳化硅作為第三代半導體材料，其介電擊穿強度更大、飽和電子漂移速度更快，且熱導率更高。
碳化硅材料在半導體領域具有三個優(yōu)勢：
物理性能：碳化硅材料禁帶寬度大、飽和電子飄移速度高、存在高速二維電子氣，擊穿場強高。這些材料特性能夠賦予碳化硅器件與眾不同的性能。
器件特性：與硅材料相比，碳化硅器件耐高溫、耐高壓、頻率高、開關速度快、導通電阻低。這些器件特性都有助于實現(xiàn)更高效的電子電氣系統(tǒng)設計。
系統(tǒng)成本：用碳化硅器件設計的系統(tǒng)體積小、重量輕、高能效、驅(qū)動力強，有助于降低系統(tǒng)總成本。
功率器件作為電力電子裝置中的核心元件,其發(fā)展直接影響著電力電子學科的走向。每一代具有代表性的功率器件的問世都引起了電力電子學科的一次革命。功率器件的發(fā)展大致可以劃分為四個階段：半控型功率器件階段，單極型功率器件階段，雙極型功率器件階段，新材料功率器件階段。
